G2012
型号：
G2012
品牌：
GOFORD(谷峰)
封装：
DFN-6L(2x2)
包装：
编带
包装数量：
3000
数量：
0
描述：
N沟道增强型功率MOSFET,电流:12A,耐压:20V
参数：
类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):12A,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@2.5V,5A
