G18NP06Y

型号： G18NP06Y

品牌： GOFORD(谷峰)

封装： TO-252-4Dual

包装：编带

包装数量： 2500

数量： 0

描述： N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET,电流:18A,耐压:60V

参数：漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):18A,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,12A,耗散功率(Pd):45W

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