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11N10

11N10

G200P04S2

G200P04S2

G400P06K

G400P06K

830F

830F

G040P02D5

G040P02D5

G58N06K

1个N沟道 耐压:60V 电流:58A

G06NP06S2

1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:6A

G200N10K

G200N10K

G2K8P15S

1个P沟道 耐压:150V 电流:2.2A

G100N03D5

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

G180N06S2

2个N沟道 耐压:60V 电流:8A

G040P02K

G040P02K

G26P04D5

P沟道增强型功率MOSFET,电流:-26A,耐压:-40V

G20P10KE

1个P沟道 耐压:100V 电流:20A

G170P03S2

2个P沟道 耐压:30V 电流:9A

G86N06K

1个N沟道 耐压:60V 电流:68A

G35P04D5

1个P沟道 耐压:40V 电流:35A

G140P04K

P沟道,电流:-45A,耐压:-40V

G300P06S

1个P沟道 耐压:60V 电流:12A

G160N04S2

双N沟道,电流:9A,耐压:40V