1个P沟道 耐压:60V 电流:6A

1个N沟道 耐压:30V 电流:50A

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A

1个P沟道 耐压:40V 电流:13A

1个N沟道 耐压:200V 电流:5A

2个N沟道 耐压:60V 电流:5A

N和P通道增强模式功率MOSFET,电流:28A,耐压:30V

1个P沟道 耐压:60V 电流:4A

1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:3.1A 电流:5A

1个N沟道 耐压:60V 电流:9A

P沟道沟槽功率MOSFET,电流:-15A,耐压:-30V

1个P沟道 耐压:30V 电流:30A

G1008B

G12P06K

1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A

1个N沟道 耐压:40V 电流:25A

1个P沟道 耐压:20V 电流:8A

N沟道,电流:3A,耐压:60V

N沟道,电流:5A,耐压:100V

GT1K2N10I